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吴江宏达探伤器材探伤仪器及耗材产品

2021-01-05 16:42:33

渗透探伤是无损检测常用的一种方法,通过目视,可以直接观察工件表面缺陷的痕迹显示,是应用*广、*可信赖的探伤方式。可用于检测几乎所有非多孔材质的金属、非金属工件表面的裂缝和缺陷。

       H-T型核级着色渗透探伤剂,结合了国内外很多产品的优点,经无损检测界的*精心研制*的新一代核电项目上使用的着色渗透探伤剂,通过中国科学院上海有机化学研究所按RCC-M-Edition 2000年版,氧弹法处理样品,离子色谱法,测定F、Cl、S的含量,经过广大用户的广泛使用,深受欢迎,产品通过*机构检测,性能十分稳定,是目前较为理想的一种着色渗透探伤剂。

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H-ST型着色渗透探伤剂是无损检测常用的一种方法,通过目测,可以直接观察工件表面缺陷的痕迹显示,是应用*广,*可信赖的探伤方法之一,可用于检测金属,玻璃,陶瓷,塑料及复合材料的表面裂缝和缺陷。

H-ST型着色渗透探伤剂,结合了国内外很多产品的优点,经无损检测界的*精心研制*的新一代着色渗透探伤剂,通过用户的广泛使用,产品通过*机构检测,性能十分稳定,是目前较为理想的一种着色渗透探伤剂

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EN ISO3452-3-II型试块(GB/T18851-II型)

EN ISO3452-3-II型试块(不锈钢带四个不同毛糙面五星试块)

EN ISO3452-3-II型试块(不锈钢带四个不同毛糙面五星试块)试块的一半为5个星型不连续性的缺陷,用于确定检测灵敏度。另一半为4个特定粗糙度区域,Ra分别为:2.5μm、5.0μm、10μm、15μm,用于确定渗透剂的可清洗度。

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核级黑油磁悬液 HN-BO型

本品用于核级产品的磁粉检测,采用一体化喷雾头,使用更方便。产品通过中国科学院上海有机化学研究所按RCC-M-Edition:2007年版及ASME 2010 SE-165标准,氢弹法处理样品,离子色谱法,测定F、Cl、S的含量。

用于核级产品的磁粉检测,采用一体化喷雾头,使用更方便。通过中国科学院上海有机化学研究所按RCC-M-Edition:2007年版及ASME 2010 SE-165标准,氧弹法处理样品,离子色谱法,测定F、Cl、S的含量。符合JB/T6063-06标准

通过第三方公司对Cd、Pb、AI、Mg、Sn、Zn、Sb、As、Bi、Ca、Hg、Br等元素的含量测定。符合 JB/T6063-2006、BS4069-1982、ASTM 709-80(85 )及HB/Z72-1998等国内外标准的规定。

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CEW-2000型交直流磁粉探伤机

CEW-2000型磁粉探伤机,是固定式交直流湿法磁粉探伤设备。适用于机械、汽车、航空、内燃机、铁道等行业对铁磁性材料制成的零件的无损检验。能发现零件内外表面及近表面因铸造、锻压、拉伸、淬火、研磨、疲劳…

磁粉探伤基本原理

自然界中磁力线总能保持其连续性。当铁磁性工件放在使其饱和的磁场中时,磁力线便会被引导通过工件。如果磁力线遇到工件材料上的不连续(即裂纹、夹渣、气孔等缺陷),而磁力线为了保持自己的连续性,则必须绕过这些缺陷,形成漏磁通.

若这些缺陷位于材料的表面或近表面,但由于工件中的磁力线已达到饱和状态,则磁力线就会绕过这些磁导率较低的(磁阻较大)区域而泄漏出工件表面形成漏磁埸。这样在缺陷的两侧便会产生磁极,将磁粉(或磁悬液喷洒于有缺陷工件表面,则缺陷磁极吸引磁粉,便可形成明显可见的线状或点状堆积。

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超声波耦合剂 CG-98型

利用超声波透入金属材料的深处,由一截面进入另一截面时,在界面边缘发生反射的特点来检查零件缺陷的一种方法。它能够快速便捷、无损伤、地进行工件内部多种缺陷(裂纹、夹杂、折叠、气孔、砂眼等)的检测、定位、

本品具有无毒、无味、无刺激,不沾皮肤和衣服,在垂直壁体上不会流失、操作方便等特点,用于钢铁、铸锻件、焊缝等的超声波探伤和测厚。

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UI-S7型 超声波探伤仪 (日本三菱电机集团)

利用超声波透入金属材料的深处,由一截面进入另一截面时,在界面边缘发生反射的特点来检查零件缺陷的一种方法。它能够快速便捷、无损伤、地进行工件内部多种缺陷(裂纹、夹杂、折叠、气孔、砂眼等)的检测、定位

UI-S7型超声波探伤仪,由日本三菱电机集团针对现场检测生产的超小型超声波探伤仪,采用6.5英寸高亮度液晶屏显示,尤其适合室外光线下作业。机身具有防水、防尘结构,采用*的操作系统,重量轻、电池连续工作时间长、USB接口等优点。

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冷热光源观片灯 NR-6L型

铝合金和钢板组合结构,外形美观。开启快、无闪烁、无噪音。开启后直接使用无需等待。采用无噪音直流散热风扇,可持续工作8小时以上。*设计的冷、热光源一体组合,冷光源采用LED发光源,具有温度低,无须预热,亮度…

重量weight:9.7kg

观察屏窗口尺寸: 330×80mm

LED光源*亮度:≥248000cd/m  (780000Lux)

热光源*亮度:≥200600cd/m  (630000Lux)

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